吃一塹，長一智

基本上小弟還在用DDR....

DDRAM History:

DDR、DDR2和DDR3都是屬於SDRAM家族的記憶體產品。以DDR為例，正式的稱法應是DDR SDRAM（雙通道同步動態隨機存取記憶體，Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)，即為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，電腦系統同時利用系統匯流排時脈的上升和下降來存取記憶體資料，令記憶體的頻寬增加一倍，優於傳統的SDRAM。
DDR2和DDR3即為更新一代的DDR SDRM產品。DDR2是基於現有DDR記憶體技術，並在關鍵領域效能有所提升。舉例而言，DDR2擁有4bit的數據預先存取能力，在同等核心頻率下， DDR2擁有兩倍的DDR數據傳輸率。
DDR3則是更新一代的架構。雖然JEDEC（記憶體工業標準組織）尚未確立DDR3的標準，但是大體而言，DDR3 採用 8 bit 預先取設計，較 DDR2 4bit 的預取設計為倍數成長，運算時脈介於 800MHz -1600MHz之間 。此外，DDR3 的規格要求將電壓控制在 1.5V ，較 DDR2 的 1.8V 更為省電。此外， DDR3 採用 ASR(Automatic self-refresh) 的設計，以確保在資料不遺失情況下，儘量減少更新頻率來降低溫度。【註1】

DDR2與DDR3的差異點：【註2】

(1.) 規格方面：目前 DDR3 的詳細規格仍未完全確定，但是以具體設計來看， DDR3 與 DDR2 基本結構並無太大不同。
(2.) 存貯器傳輸速度：由於未來存貯器傳輸速度不斷提高，因此 DDR3 所擁有的特色，必須要有更高的傳輸速度以及將功耗進一步降低。根據 JEDEC 的標準， DDR3 採用 8 bit 預取設計，較 DDR2 4bit 的預取設計為倍數成長，運算時脈介於 800MHz -1600MHz 。
(3.) 電壓與功率變化：因應速度增加所產生的熱量，因此電壓之降低是一個很重要的條件，目前 DDR3 的規格要求將電壓控制在 1.5V ，較 DDR2 的 1.8V 更為省電。此外，並新增 thermal sensor 的功能，由於存貯器為了要確保所存貯的資料不遺失，因此必須要定期 self-refresh ，不過為了節省電力， DDR3 採用 ASR(Automatic self-refresh) 的設計，以確保在資料不遺失情況下，儘量減少更新頻率來降低溫度
(4.) 主生產制程及顆粒規格 :在 density 上，不同於 DDR 的 256Mb ， DDR2 的 512Mb ， DDR3 預期會由 1Gb 導入以符合當時市場需求。此外，在生產的制程上，也不同於 DDR2 在 0.11um 制程上生產， DDR3 預期會在 70nm 的制程上作量產。

DDRIII Milestone：【註1】

拜英特爾和AMD宣佈轉進DDR2技術所賜——英特爾宣佈915到975系統晶片組的平台開始規定使用DDR2記憶體模組，而AMD也表示在 Socket939架構轉換到SocketM2，需要與DDR2搭配使用。致使 DDR2儼然一副取代傳統DDR記憶體的架式，而DRAM價格的持續下滑，也令DDR2取代DDR的腳步加快許多。
*根據國內市場研究機構DRAM exchange的產業研究報告，DDR2預計在2006年Q2比例超越50%。
在Kingston宣佈不自外於DDR3技術之前，事實上其他記憶體模組大廠如三星、 Infineon、ELPIDA 等 DRAM 廠業已在今年Computex展上宣佈成功開發出 DDR3 藉此來表明自己實力。對此Kingston表示，DDR3技術研發一直都在進行，但是一直到英特爾確立了桌上型和伺服器四核心處理器（代號分別為 Clovertown和 Kentsfield）將從2007上半年提前到今年第四季推出，AMD也表示明年中推出四核心Opteron之後，Kingston才比較願意發表 DDR3的產品時程。
*「否則看不出來DDR3的市場接受原因在哪裡，」Kingston亞太業務行銷總監徐石琦說。
除了四核心技術將拉抬DDR3應用外，英特爾和AMD兩大處理器廠商的動作，也顯示DDR3已納入技術重點。外電報導，轉進DDR2腳步較英特爾緩慢的 AMD，已與另一半導體廠商SimpleTech宣佈合作，計畫在JEDEC（記憶體工業標準組織）會議中，展開訂定基於DDR3的SDRAM記憶體模組的功能規格。
*而英特爾在明年第二、三季，將陸續推出多款名為Bearlake晶片组，正式提供對DDR3的支持。
根据英特爾的預計，DDR3甫面市的價格要比DDR2高出60％左右，不過到2008年底就會降低到只有 10％，在2009年DDR3正式成為主流。

奇夢達公司(Qimonda) DDR3發展藍圖：【註3】

奇夢達公司(Qimonda)宣佈針對各大主機板廠商與超頻記憶體模組製造商提供新型DDR3元件與模組產品。此外，奇夢達新一代的DDR3 DRAM產品，已通過英特爾相關平台認證。
奇夢達目前推出512Mb DDR3 SDRAM元件與512MB與1GB容量的DDR3 unbuffered-DIMM記憶體。這些新元件可支援800MHz、1066MHz、與1333MHz等運作時脈，甚至能超頻到1600MHz以上。
超頻這項熱門技術讓PC系統能獲得更高的效能，以支援3D遊戲等高階應用，其原理是讓微處理器或記憶體的運作時脈超過額定的速率。該調校方法可讓系統效能提升30%。
新款高速DDR3元件與模組可滿足包括各種桌上型電腦、筆記型電腦、工作站等個人系統的所有需求，並能支援處理大量資料的應用，像是影片編輯與高階遊戲。
奇夢達的發展藍圖在於全力支援最重要的主流元件，首先推出512Mb與1Gb版本，並將陸續推出更高容量的元件。奇夢達的512Mb DDR3元件採用PG-TFBGA-78封裝，已開始供貨，並預計在2007下半年全面量產。512MB與1GB容量版本的Unbuffered DIMM (以512Mb元件為開發基礎)現已開始接單。

Appendix:

什麽是DRAM？
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體 (SRAM)只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 DRAM的記憶單元與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單，每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。因此，DRAM擁有高密度，低成本的優點，但是它也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。【註3】

Reference：

註1.http://taiwan.cnet.com/news/hardware/0,2000064553,20110431,00.htm
【四核時代來臨 拉抬記憶體技術轉進DDR3】

註2.http://www.wunzhang.com/releases/2006/3/prweb363799.htm
【DRAMeXchange產業研究報告: DDR3預計2009年才有機會成為主流】

註3.http://www.eettaiwan.com/ART_8800464937_628626_NP_c68613eb.HTM
【奇夢達新款DDR3元件與模組獲英特爾平台認證】